Компания производитель: WD
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5400 об/мин, буфер 128 МБ, время доступа 4.2 мс
Компания производитель: Toshiba
Объем: 0.24; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 2100; Скорость последовательной записи: 1000; Средняя скорость случайного чтения: 200 250 IOps; Средняя скорость случайной записи: 206 100 IOps; Контроллер: Silicon Motion SM2263XT; Дата выхода на рынок: 2018; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: AMD
Объем: 0.12 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: SATA 3.0 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с Скорость последовательной записи: 330 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 42 000 IOps
Компания производитель: AMD
Объем: 0.48 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения: 2100 Мб/с Скорость последовательной записи: 1600 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 249 100 IOps
Компания производитель: AMD
Объем: 0.25; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (128-слоев); Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 6400; Скорость последовательной записи: 2700; Средняя скорость случайного чтения: 500 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 600 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5; Энергопотребление (ожидание): 0.04; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Elpis; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 150 TBW; Буфер обмена: 512
Компания производитель: Samsung
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 7200 об/мин, буфер 256 МБ, время доступа 8 мс
Компания производитель: WD
Компания производитель: WD
Объем: 0.96; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 530; Скорость последовательной записи: 500; Средняя скорость случайного чтения: 69 600 IOps; Средняя скорость случайной записи: 78 600 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 3.5; Контроллер: Silicon Motion SM2258; Дата выхода на рынок: 2018; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: AMD
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 1000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 128; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 2000000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 65; Потребляемая мощность: 8.1; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.9; Высота: 26
Компания производитель: Western Digital
Объем: 0.24; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 520; Скорость последовательной записи: 450; Средняя скорость случайного чтения: 40 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 75 000 IOps; Толщина: 7; Контроллер: Silicon Motion SM2258; Дата выхода на рынок: 2017
Компания производитель: A-Data
Объем: 0.12; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: TLC; Скорость последовательного чтения: 500; Скорость последовательной записи: 375; Энергопотребление (чтение/запись): 1.45; Энергопотребление (ожидание): 0.33; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 7; Дата выхода на рынок: 2016
Компания производитель: Apacer
Объем: 0.5; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 530; Средняя скорость случайного чтения: 95 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 85 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 3.35; Энергопотребление (ожидание): 0.56; Толщина: 7; Дата выхода на рынок: 2019
Компания производитель: Western Digital
Форм-фактор: 2.5"; Тип: HDD; Емкость: 1000; Скорость вращения: 5400; Объем буфера: 128; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 600000; Ударостойкость при хранении: 1000; Ударостойкость при работе: 400; Потребляемая мощность: 1.65; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.85; Уровень шума простоя: 19; Высота: 7
Компания производитель: Toshiba
Компания производитель: WD
Объем: 1; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 530; Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 4; Энергопотребление (ожидание): 0.03; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 6.8; Контроллер: Samsung MGX; Ресурс записи: 150 TBW; Буфер обмена: 1024
Компания производитель: Samsung
Объем: 0.5; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 530; Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 3.5; Энергопотребление (ожидание): 0.03; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 6.8; Ресурс записи: 150 TBW; Буфер обмена: 512
Компания производитель: Samsung
Объем: 2; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 540; Скорость последовательной записи: 500; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 7; Контроллер: Silicon Motion SM2258XT; Дата выхода на рынок: 2018
Компания производитель: Crucial
